삼성전자, 5세대 10나노미터 D램 내년 세계최초 양산

삼성전자가 내년에 5세대 10나노미터(㎚•1㎚는 10억분의 1m)급 D램을 세계최초로 양산에 들어가며, 오는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 또한 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템반도체와 사람의 오감(五感, 미각•후각•청각•시각•촉각)을 감지하고 구현할 수 있는 센서 개발에 나선다고 인사이드비나지가 6일 보도했다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성테크데이 2022(Samsung Tech Day 2022)’를 열어 이같은 내용의 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

이날 행사는 글로벌 IT기업, 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장 등 모두 800여명이 참석한 가운데 진행됐다. 

삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램솔루션과 공정미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램기술을 공개했다.

데이터사용량 폭증추세에 맞춰 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템아키텍처를 지원할 수있는 차세대 D램기술의 성장을 위해 글로벌 IT기업들과 협력할 예정이다.

또한, 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

5세대 10나노급 D램을 내년에 양산하고, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정기술 적용과 차세대제품 구조를 통해 공정미세화 한계를 극복할 계획이다.

삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드기술로 새로운 패러다임 제시에 나선다.

올해 세계 최고용량의 8세대 V낸드기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다. 또한 7세대 대비 단위면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(Quadruple Level Cell) 생태계를 확대하고, 전력효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.

삼성전자는 2015년 차량용메모리 시장에 첫 진입한 이후, 빠른 성장세를 이어가고 있다. 자율 주행(AD), 첨단 운전자지원시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리솔루션을 공급해 2025년 차량용메모리 시장에서 1위를 달성할 계획이다.

또한 차량의 첨단화•전동화에 따른 고성능메모리 필요성이 더욱 커짐에 따라 LPDDR5X, GDDR7, Shared Storage 등 차세대메모리 솔루션을 제공해 모빌리티혁신을 이루어 나가기로 했다.

엔터프라이즈부터 클라이언트, 모바일, 차량용, 브랜드까지 다양한 스토리지 라인업을 갖춘 삼성전자는 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB(Host Memory Buffer) 기술을 적용한 SSD ‘PM9C1a’도 공개했다.

SSD 내부 연산 기능을 강화한 컴퓨테이셔널 스토리지(Computational Storage) 개발도 지속하고 있다. 인공지능에 최적화된 고성능, 저전력 제품을 통해 지속가능한 미래를 만들어 나갈 방침이다.

인사이드비나 2022.10.06